據(jù)悉，薄玻璃基板和玻璃通孔（TGV）的領(lǐng)先供應(yīng)商成都邁科科技有限公司，近日宣布實(shí)現(xiàn)了最小孔徑9微米、深徑比50:1的玻璃通孔金屬化填充技術(shù)的工程化。標(biāo)志著TGV技術(shù)突破了集成度這一關(guān)鍵瓶頸，為小孔徑Micro LED巨量通孔與垂直互聯(lián)做好準(zhǔn)備。

近日，成都邁科科技有限公司繼率先突破10微米玻璃通孔技術(shù)后，進(jìn)一步成功突破Micro LED玻璃基板制造的超細(xì)通孔填充技術(shù)瓶頸，開發(fā)出最小孔徑9微米、深徑比可達(dá)50:1的通孔實(shí)心銅填充技術(shù)，并可實(shí)現(xiàn)每平方厘米約26萬孔的超高密度垂直互聯(lián)，通孔良率超99.9%，且在玻璃表面成功制備出2um的銅線路，并向國內(nèi)某龍頭企業(yè)交付。

Micro LED指的是在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，即LED微縮化和矩陣化技術(shù)（其像素尺寸通常為1500PPI以上，像素間距小于P0.1，基板厚度約為100-500um）。

Micro LED 的特點(diǎn)如下：

Mirco LED顯示屏每一個像素可定址、單獨(dú)驅(qū)動點(diǎn)亮，可看成是戶外LED顯示屏的微縮版，將像素點(diǎn)距離從毫米級降低至微米級。Micro LED 顯示通常采用無機(jī)GaN 等 LED 發(fā)光芯片，發(fā)光性能優(yōu)異、壽命長，其產(chǎn)業(yè)化亟需解決集成工藝及其相關(guān)材料的問題，如玻璃通孔及金屬化技術(shù)方面：隨著顯示屏分辨率越來越高，模塊之間相應(yīng)的間隙越來越小，傳統(tǒng)的COF(柔性基板上的芯片技術(shù))設(shè)計(jì)不再可行，制造商們改為從側(cè)面或通過 TGV（玻璃通孔）工藝在 TFT 玻璃表面上布線。

Micro LED 顯示原理圖

目前在消費(fèi)電子領(lǐng)域Micro LED技術(shù)使用的背板有兩種，一種是印刷電路板 (Printed circuit board， PCB)，PCB背板搭配無源矩陣(PM)是一種相對成熟的解決方案，已成為P > 0.625mm像素間距顯示器的主要選擇。據(jù)了解，PCB背板在減薄上受到一定程度的限制，當(dāng)PCB基板的厚度小于0.4mm時，將LED芯片封裝至PCB基板上時，由于封裝膠與PCB材料熱膨脹系數(shù)不同，會產(chǎn)生膠裂的問題；而且PCB材料導(dǎo)熱性能較差，當(dāng)LED芯片數(shù)量增加時，將縮短LED的使用壽命；同時，薄的PCB板易變形，對巨量轉(zhuǎn)移的效率是一大障礙。另一種是玻璃基板，TFT 玻璃背板搭配 LTPS 陣列能夠精確地控制和驅(qū)動Micro LED顯示器中的電路。由于Micro LED芯片電極很小，不僅減少支架成本、減少工序，還可降低芯片熱阻，實(shí)現(xiàn)高精密化封裝。雖然玻璃精度高，尺寸穩(wěn)定性好，絕緣性能優(yōu)異，加工成本低，市場前景一片大好，但在超細(xì)孔徑、超高密度通孔互連方面仍面臨孔金屬化技術(shù)挑戰(zhàn)。

邁科科技基于10余年技術(shù)沉淀，開發(fā)出第三代玻璃通孔技術(shù)TGV3.0，解決了高深徑比通孔種子層制備與實(shí)心填充方法、銅凸控制、背面布線等關(guān)鍵技術(shù)，為Micro LED基板的巨量通孔與垂直互聯(lián)做好準(zhǔn)備。

邁科公司Micro LED 用玻璃通孔<9um高密度集成解決方案 

此外，作為國內(nèi)玻璃通孔技術(shù)的倡導(dǎo)者與引領(lǐng)者，邁科科技在微系統(tǒng)三維封裝、高性能IPD無源集成器件，以及折疊屏基板、MEMS傳感器、微流控芯片等玻璃3D微結(jié)構(gòu)加工等方面已經(jīng)批量應(yīng)用。亞10微米通孔及填充技術(shù)的突破，為后摩爾時代集成電路三維集成的發(fā)展提供了中國方案。

成都邁科科技有限公司

（文丨陶志華）